阻抗分析儀IM3570 ?1臺(tái)儀器實(shí)現(xiàn)LCR測(cè)量、DCR測(cè)量、掃描測(cè)量等的連續(xù)測(cè)量和高速檢查 ?LCR模式下Z快1.5ms（1kHz），0.5ms（100kHz）的高速測(cè)量 ?基本精度±0.08%的高精度測(cè)量 ?適用于壓電元件的共振特性檢查、功能性高分子電容的C-D和低ESR測(cè)量，電感器（線圈、變壓器）的DCR和L-Q的測(cè)量 分析儀模式下可進(jìn)行掃頻測(cè)量、電平掃描測(cè)量、時(shí)間間隔測(cè)量

日置LCR測(cè)試儀 ?測(cè)量頻率DC，4Hz~8MHz ?測(cè)量時(shí)間：Z快1ms ?基本精度：±0.05% rdg ?1mΩ以上的精度保證范圍，也可安心進(jìn)行低阻測(cè)量 ?可內(nèi)部發(fā)生DC偏壓測(cè)量 從研發(fā)到生產(chǎn)線活躍在各種領(lǐng)域中

日置LCR測(cè)試儀?基本精度±0.05％，測(cè)量范圍廣泛（DC,40Hz～200kHz，5mV～5V，10μA～50mA）。?在例如C-D和ESR這樣的混合測(cè)量條件下，不間斷測(cè)試，速度比以往產(chǎn)品快10倍。?內(nèi)置的低阻抗高精度模式可有效測(cè)量低感應(yīng)或鋁電解電容的等效串聯(lián)電阻。（測(cè)量速度是以往產(chǎn)品3522-50的10倍，大大提高了反復(fù)性和穩(wěn)定性）

日置LCR測(cè)試儀 ?基本精度±0.05％，測(cè)量范圍廣泛（DC,40Hz～200kHz，5mV～5V，10μA～50mA）。 ?在例如C-D和ESR這樣的混合測(cè)量條件下，不間斷測(cè)試，速度比以往產(chǎn)品快10倍。 ?內(nèi)置的低阻抗高精度模式可有效測(cè)量低感應(yīng)或鋁電解電容的等效串聯(lián)電阻。 （測(cè)量速度是以往產(chǎn)品3522-50的10倍，大大提高了反復(fù)性和穩(wěn)定性）

LCR測(cè)試儀 ?基本精度±0.05％，測(cè)量范圍廣泛（DC,40Hz～200kHz，5mV～5V，10μA～50mA） ?在比如C-D和ESR這樣的混合測(cè)量條件下，可以以往產(chǎn)品10倍的速度不間斷測(cè)試。 ?內(nèi)置比較器和BIN功能 2毫秒的快速測(cè)試時(shí)間

LCR測(cè)試儀 ?高速測(cè)量：5ms（1kHz）或13ms（120Hz） ?高精度： ± 0.08% 內(nèi)置比較器

LCR測(cè)試儀 ?模擬測(cè)量時(shí)間0.6ms（1MHz）的高速測(cè)量 ?提高了抗干擾性，在產(chǎn)線的上也能實(shí)現(xiàn)高反復(fù)精度 ?1kHz、1MHz測(cè)量下，低電容的貼片時(shí)可穩(wěn)定測(cè)量 根據(jù)BIN的測(cè)定區(qū)分容量